Доклад по информатике оперативная память

25.09.2019 Казимира DEFAULT 0 comments

Поскольку элементарной единицей информации является бит, оперативную память можно рассматривать как некий набор ячеек, каждая из которых может хранить один информационный бит. Достигается это следующим образом: ядро памяти, как и прежде, синхронизируется по положительному фронту тактирующих импульсов и с приходом каждого такого положительного фронта по четырем независимым линиям передает в буфер ввода-вывода четыре бита информации выборка четырех битов за такт. Другое усовершенствование. Наибольшее распространение получили два вида ОЗУ:. Безопасность жизнедеятельности. К тому же, если обращения к ячейке не происходит в течение длительного времени, то со временем за счет токов утечки конденсатор разряжается неизбежный физический процесс — и информация теряется. Программная часть с обработкой выполнения команд и размещением в оперативной памяти.

Эссе по английскому на тему туризмаСредневековый старейший монастырь европы доклад
Зимний туризм дипломная работаДоклад по социологии спенсер
Поле постоянного магнита рефератЭссе о судьбе самсона вырина
Цена в системе маркетинга докладРеферат по информатике информационная деятельность человека

Анализ основных типов, параметров оперативной памяти. Программная часть с обработкой выполнения команд и размещением в оперативной памяти.

ОПЕРАТИВНАЯ ПАМЯТЬ ДЛЯ ИГР? / СБОРКА ПК С УМОМ!

Хранение различной информации как основное назначение памяти. Характеристика видов памяти. Кэш-память или сверхоперативная память, ее специфика и области применения. Последние новинки разработок в области в оперативной памяти. Простейшая схема взаимодействия оперативной памяти с ЦП. Устройство и принципы функционирования оперативной памяти.

Эволюция динамической памяти. Классификация основных видов памяти компьютера. Использование оперативной памяти для временного хранения данных, используемых для работы программного обеспечения.

Поскольку при таком способе организации работы памяти происходит предвыборка двух бит перед передачей их на шину данных, этот способ также называет Рrе- каждым fetch 2 предвыборка 2.

3837685

Доклад по информатике оперативная память синхронизировать работу ядра памяти и буферов ввода-вывода, используется одна и та же тактовая частота одни и те же тактирующие импульсы. Только если в самом ядре памяти синхронизация осуществляется по положительному фронту тактирующего импульса, то в буфере ввода-вывода для синхронизации используется как положительный, так и отрицательный фронт тактирующего импульса рис.

Таким образом, передача двух бит в буфер ввода-вывода по двум раздельным линиям осуществляется по положительному фронту тактирующего импульса, а их выдача на шину данных происходит как по положительному, так и по отрицательному фронтам тактирующего импульса. Это обеспечивает в два раза более высокую скорость работы буфера и, соответственно, вдвое большую пропускную способность памяти.

Все же остальные принципиальные моменты DDR-памяти не изменились: структура нескольких независимых банков позволяет совмещать выборку данных из одного банка с установкой адреса в другом банке, то есть можно одновременно иметь две открытые страницы.

Нетрудно рассчитать и пропускную способность DDR-памяти. Возникает логичный вопрос: если эти типы памяти не поддерживаются материнскими платами и не стандартизированы, то зачем они вообще нужны?

Это, во-первых, не препятствует ее использованию и на более низких частотах, а во-вторых, позволяет применять при доклад по информатике оперативная память системы.

Кроме того, при использовании этих типов памяти на частоте МГц возможно уменьшение таймингов памяти идеальный случай соответствует таймингучто можно рассматривать как своеобразный разгон памяти. То есть в стандарте DDR2 при пакетном режиме доступа данные передаются четыре раза за один такт. Для организации данного режима работы памяти необходимо, чтобы буфер ввода-вывода работал на учетверенной частоте по сравнению с частотой ядра памяти. Достигается это следующим образом: ядро памяти, как и прежде, синхронизируется по положительному фронту тактирующих импульсов и с приходом каждого такого положительного фронта по четырем независимым линиям передает в буфер ввода-вывода четыре бита информации выборка четырех битов за такт.

Сам буфер ввода-вывода тактируется на удвоенной частоте ядра памяти отчет по практике суда синхронизируется как по положительному, так и по отрицательному фронту этой частоты.

То есть с приходом положительного и отрицательного фронта происходит передача информации в мультиплекспом режиме на шину данных рис. Это позволяет за каждый такт работы ядра памяти передавать четыре бита на шину данных, то есть вчетверо повысить пропускную способность памяти. В этом смысле память DDR2 имеет значительно большие потенциальные возможности для увеличения пропускной способности по сравнению с памятью DDR.

Стандарт DDRЗ был принят летом года, однако многие производители еще до официального утверждения спецификации успели представить новые модули. Как уже неоднократно упоминалось, основную долю рынка этот стандарт завоюет к году.

Кроме увеличенной пропускной способности, память IЛЖЗ будет также выгодно отличаться и уменьшенным энергопотреблением. Снижение напряжения питания достигается за счет использования нанометрового техпроцесса производства микросхем памяти и применения транзисторов с двойным затвором Dualgateчто способствует снижению токов утечки.

Действительно, открытие одной строки приводит к открытию всех, подключенных к ней транзисторов, а, следовательно, - разряду закрепленных за этими транзисторами конденсаторов. Кулинария и продукты питания.

Ожидается, что первоначально емкость модулей памяти DDRЗ составит 1 Гбайт, а впоследствии появятся модули памяти емкостью 2 и 4 Гбайт. Для памяти DDRЗ будет реализована 8-банковая логическая структура, а размер страницы составит 1 Кбайт для чинов с шиной х4 и х8 и 2 Кбайт для доклад по информатике оперативная память с шиной х Для организации данного режима работы памяти необходимо, чтобы буфер ввода- вывода мультиплексор работал на частоте в 8 раз большей по сравнению с частотой ядра памяти.

Общеизвестно, что производительность компьютера зависит от объема установленной оперативной памяти.

Память лишней не бывает — этот базовый принцип, высказанный еще в конце х годов фон Нейманом, остается актуальным и. Шесть лет назад для рабочих ПК вполне хватало 64— Мбайт оперативной памяти, теперь же нужно иметь уже как минимум Мбайт.

Связано это, прежде всего, с наметившейся тенденцией смещения приложений в сторону их мультимедийности. Впрочем, объем устанавливаемой оперативной памяти — это еще не.

Поэтому актуальным становится вопрос о выборе типа устанавливаемой памяти.

Сколько стоит написать твою работу?

В этой главе мы проведем краткий доклад по информатике оперативная память по различным типам и технологиям памяти и рассмотрим основные различия типов памяти между. Однако, чтобы разобраться во всех этих достижениях научной мысли, нам придется сделать небольшое отступление и рассказать о главных принципах функционирования оперативной памяти и об истории ее развития.

Оперативная память, которая также именуется RАМ Random Access Memory— память с произвольным доступомиспользуется центральным процессором для совместного хранения данных и исполняемого программного кода. Отличительной особенностью RАМ является ее быстродействие, которое очень важно для современных процессоров. По принципам действия RАМ можно разделить на динамическую и статическую.

Различие между этими типами памяти заключается в принципе хранения информации. Поскольку элементарной единицей информации является бит, оперативную память можно рассматривать как некий набор ячеек, каждая из которых может хранить один информационный бит.

Оперативная память

Различие между динамической и статической памятью заключается в конструктивных особенностях элементарных ячеек для хранения отдельных битов. В статической памяти ячейки построены на различных вариантах триггеров — транзисторных схем с двумя устойчивыми состояниями.

  • В реальном режиме память делится на следующие участки:.
  • Различие между динамической и статической памятью заключается в конструктивных особенностях элементарных ячеек для хранения отдельных битов.
  • Похожие рефераты:.
  • Эта память также не имеет никакого отношения к DDRЗ и по принципу действия более схожа с памятью DDR2, отличаясь от нее тактовыми частотами, требованиями к напряжению и способами терминирования сигналов.
  • Именно такой способ и используется в DDR-памяти.
  • Поэтому процесс считывания обращения к ячейке сочетается с подзарядкой конденсаторов, то есть с регенерацией заряда.
  • Кроме того, поскольку при считывании конденсатор разряжается, его необходимо зарядить до прежнего значения.

После записи бита в такую ячейку она может пребывать в одном из этих состояний и сохранять записанный бит сколь угодно долго — необходимо только наличие питания.

ОЗУ большинства современных компьютеров представляет собой модули динамической памяти, содержащие полупроводниковые ИС ЗУ, организованные по принципу устройств с произвольным доступом. Память динамического типа дешевле, чем статического, и её плотность выше, что позволяет на той же площади кремниевого кристалла разместить больше ячеек памяти, но при этом её быстродействие ниже.

Доклад по информатике оперативная память 816

Статическая память, наоборот, более быстрая память, но она и дороже. В связи с этим основную оперативную память строят на модулях динамической памяти, а память статического типа используется для построения кэш-памяти внутри микропроцессора.

Экономичный вид памяти. Для хранения разряда бита или трита используется схема, состоящая из одного конденсатора и одного транзистора в некоторых вариантах два конденсатора. Такой вид памяти, во-первых, дешевле один конденсатор и один транзистор на 1 бит дешевле нескольких транзисторов триггераи, во-вторых, занимает меньшую площадь на кристалле там, где в SRAM размещается один триггер, хранящий 1 бит, можно разместить несколько конденсаторов и транзисторов для хранения нескольких бит.

Но DRAM имеет и недостатки. Во-первых, работает доклад по информатике оперативная память, поскольку, если в SRAM изменение управляющего напряжения на входе триггера сразу очень быстро изменяет его состояние, то для того, чтобы изменить состояние конденсатора, его нужно зарядить или разрядить.

К тому же, если обращения к ячейке не происходит в течение длительного времени, то со временем за счет токов утечки конденсатор разряжается неизбежный физический процесс — и информация теряется. В статической памяти ячейки построены на различных вариантах триггеров — транзисторных схем с двумя устойчивыми состояниями. Различие между этими типами памяти заключается в принципе хранения информации. Для хранения разряда бита или трита используется схема, состоящая из одного конденсатора и одного транзистора в некоторых вариантах два конденсатора.

Перезаряд конденсатора гораздо более длителен в 10 и более разчем переключение триггера, даже если ёмкость конденсатора очень мала. Причём разряжаются они тем быстрее, чем меньше их электрическая ёмкость и больше ток утечки, в основном, утечка через ключ. Процедуру регенерации выполняет процессор или контроллер памяти.

Кроме того, номера строк и столбцов подаются одновременно, с таким расчетом, чтобы к приходу следующего тактового импульса сигналы уже успели стабилизироваться и были готовы к считыванию.

[TRANSLIT]

Контроллер может запросить как одну, так и несколько последовательных ячеек памяти, а при желании - всю строку целиком! Это стало возможным благодаря использованию полноразрядного адресного счетчика уже не ограниченного, как в BEDO, двумя битами.

Другое усовершенствование. Количество матриц банков памяти в SDRAM увеличено с одного доклад двух а, в некоторых моделях, и четырех. Это позволяет обращаться к ячейкам одного банка параллельно с перезарядкой внутренних цепей другого, что вдвое увеличивает предельно допустимую тактовую частоту.

Помимо этого появилась возможность одновременного открытия двух четырех страниц памяти, причем открытие одной страницы то есть передача номера строки может происходить во время информатике оперативная информации с другой, что позволяет обращаться по новому адресу столбца ячейки памяти на каждом тактовом цикле. Еще одно преимущество - разрядность линий данных увеличилась с 32 до 64 бит, что еще вдвое увеличило ее производительность.

Удвоение скорости достигается за счет передачи данных и по фронту, и по спаду тактового импульса в SDRAM передача данных память только по фронту.

Претерпела изменения и конструкция управления матрицами банками памяти. Во-первых, количество банков увеличилось с двух до четырех, а, во-вторых, каждый банк обзавелся персональным контроллером не путать с контроллером памяти!

Реферат: Оперативная память

Соответственно, максимальное количество ячеек, обрабатываемых за один такт, возросло с одной до четырех. Имеет основных отличий от памяти предыдущих поколений всего три:.

Повышение тактовой частоты вызывает резкое усиление всевозможных помех и в первую очередь электромагнитной интерференции, интенсивность которой в общем случае пропорциональна квадрату частоты, а на частотах свыше мегагерц вообще приближается к кубической. Это обстоятельство налагает чрезвычайно жесткие ограничения на топологию и качество изготовления печатных плат модулей микросхемы, что значительно усложняет доклад по информатике оперативная память производства и себестоимость памяти.

С другой стороны, уровень помех можно значительно понизить, если сократить количество проводников, то есть уменьшить разрядность микросхемы. Именно по такому пути компания Rambus и пошла, компенсировав увеличение частоты до МГц с учетом технологии DDR эффективная частота составляет МГц уменьшением разрядности шины данных до 16 бит плюс два бита на ECC. Второе по списку преимущество RDRAM - одновременная передача номеров строки и столбца ячейки - при ближайшем рассмотрении оказывается вовсе не преимуществом, а конструктивной особенностью.

Это не уменьшает латентности доступа к произвольной ячейке то есть интервалом времени между подачей адреса и получения данныхтак как она, латентность, в большей степени определяется доклад по информатике оперативная память ядра, а RDRAM функционирует на старом ядре.

Большое количество банков позволяет теоретически достичь идеальной конвейеризации запросов к памяти, - несмотря на то, что данные поступают на шину лишь спустя 40 нс. В настоящее время объем оперативной памяти пошел на сотни мегабайт и.

Правда, производительность подсистемы памяти все еще оставляет желать лучшего. Причем, современная ситуация даже хуже, чем десять-пятнадцать лет тому. Если персональные компьютеры конца восьмидесятых - начала девяностых оснащались микропроцессорами с тактовой частотой порядка 10 МГц и оперативной памятью со временем доступа нс.

Доклад по информатике оперативная память 5957

Современные же процессоры тратят на чтение произвольной ячейки, порой сотни тактов, выполняя в это же самое время чуть ли не по три вычислительных инструкций за такт. Естественно данные проблемы уже рассматриваются и решаются инженерами- конструкторами, что возможно даст выйти в производство новых видов оперативной памяти.